led強(qiáng)光手電筒的LED芯片功率技術(shù)要求有哪些？

1、增加發(fā)光的大小，要達(dá)到預(yù)期的磁通，必須均勻分布TCL，有效增加流動(dòng)的電流量。

2、硅底板倒裝法，準(zhǔn)備一個(gè)大的LED面板燈芯片并且選擇合適的尺寸，芯片尺寸，使當(dāng)前的拓展距離可以縮短，以盡量減少支持和銦鎵鋁氮化物擴(kuò)散阻力的ESD保護(hù)二極管(ESD)的硅芯片安裝顛倒焊錫凸塊。

3、陶瓷板倒裝法，通用裝置的晶體結(jié)構(gòu)的LED面板燈芯片的LED芯片的下一個(gè)大的，在陶瓷板和陶瓷基板的共晶釬料層和導(dǎo)電層，在該區(qū)域產(chǎn)生的相應(yīng)的引線，焊接電極中使用水晶LED芯片和大規(guī)格陶瓷薄板焊接的焊接設(shè)備。

4、藍(lán)寶石襯底過渡方法。在藍(lán)寶石襯底除去后的PN結(jié)的制造商，在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)InGaN芯片，然后再連接的傳統(tǒng)的四元材料，制造大型結(jié)構(gòu)的藍(lán)色LED芯片的下部電極上，通過常規(guī)的方法。

5、AlGaInN的碳化硅(SiC)背面光的方法。