增加led強(qiáng)光手電筒功率可以從哪些方面著手

我們知道，LED功率的大小跟強(qiáng)光手電筒亮度有莫大的關(guān)系。通常來(lái)講強(qiáng)光手電筒LED功率每增加一瓦，則理論上可提高手電筒亮度100lm左右。因此高流明LED手電筒通常采用大功率LED燈珠。那么作為強(qiáng)光手電筒廠(chǎng)家有什么方法增加LED強(qiáng)光手電筒功率呢。

從LED手電筒制造的角度而言，作為L(zhǎng)ED強(qiáng)光手電筒制造商其采用的LED燈珠主要從上游LED生產(chǎn)商處獲得。手電筒組裝廠(chǎng)家組裝的強(qiáng)光LED手電其功率取決于上游LED生產(chǎn)商。接下來(lái)我們就來(lái)看看LED燈珠生產(chǎn)廠(chǎng)商是如何提高LED功率的

1、要達(dá)到預(yù)期的磁通，LED生產(chǎn)廠(chǎng)家必須均勻分布TCL，通過(guò)有效增加流動(dòng)的電流量來(lái)提高LED功率進(jìn)而提高LED手電筒的功率。

2、硅底板倒裝法，為L(zhǎng)ED面板燈芯片并且選擇合適的尺寸，芯片尺寸，使當(dāng)前的拓展距離可以縮短，以盡量減少支持和銦鎵鋁氮化物擴(kuò)散阻力的ESD保護(hù)。二極管(ESD)的硅芯片安裝顛倒焊錫凸塊。

3、陶瓷板倒裝。晶體結(jié)構(gòu)的LED面板燈芯片在陶瓷板和陶瓷基板的共晶釬料層和導(dǎo)電層產(chǎn)生的相應(yīng)的引線(xiàn)，焊接電極中使用水晶LED芯片和大規(guī)格陶瓷薄板焊接。

4、采用藍(lán)寶石襯底過(guò)渡。在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)InGaN芯片，然后再連接傳統(tǒng)的四元材料，制造大型結(jié)構(gòu)的藍(lán)色LED芯片。

5、AlGaInN的碳化硅(SiC)背面光的方法。